Name: SI7911DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7911DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (167 reviews)

SI7911DN-T1-GE3

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Numero di parte	SI7911DN-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Scheda dati	SI7911DN-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7911DN-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.3W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK? 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? 1212-8 Dual

Scheda tecnica SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3 Packaging

SI7911DN-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI7911DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI7911DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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