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SI7909DN-T1-E3

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SI7909DN-T1-E3

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Numero di parte SI7909DN-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Scheda dati

SI7909DN-T1-E3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7909DN-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.3W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? 1212-8 Dual

Scheda tecnica SI7909DN-T1-E3

SI7909DN-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7909DN-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7909DN-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7909DN-T1-E3?
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