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SI7856ADP-T1-GE3

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SI7856ADP-T1-GE3

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Numero di parte SI7856ADP-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7856ADP-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7856ADP-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoPowerPAK? SO-8
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7856ADP-T1-GE3

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SI7856ADP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7856ADP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7856ADP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7856ADP-T1-GE3?
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