Name: SI7772DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7772DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (143 reviews)

SI7772DP-T1-GE3

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Numero di parte	SI7772DP-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
Scheda dati	SI7772DP-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7772DP-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
Serie	SkyFET?, TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1084pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3 Packaging

SI7772DP-T1-GE3 FAQ

1. How to order SI7772DP-T1-GE3 on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that SI7772DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI7772DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI7772DP-T1-GE3

D# V72:2272_09215678

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI7772DP-T1-GE3

D# SI7772DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 12.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7772DP-T1-GE3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI7772DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V

2860

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI7772DP-T1-GE3

D# SI7772DP-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

2846

Numero di parte

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SI7772DP-T1-GE3

VBsemi Electronics Co Ltd

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3340

Numero di parte

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SI7772DP-T1-GE3

D# 1858978

Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CH,SC DIO,30V,35.6A,SO8PPAK

RoHS: Compliant

Min Qty: 5

Container: Each

Numero di parte

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SI7772DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

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SI7772DPT1GE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3570

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Descrizione

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SI7772DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

2790

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SI7772DP-T1-GE3

D# 781-SI7772DP-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

RoHS: Compliant

2990

Numero di parte

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Descrizione

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SI7772DP-T1-GE3.

D# 15AC0304

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:35.6A, On Resistance Rds(on):0.0105ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: TAPE & REEL - FULL

Numero di parte

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Azione

SI7772DP-T1-GE3

D# NS-SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

72052

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SI7772DP-T1-GE3

D# SI7772DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Semiconductor

2832

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SI7772DPT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

2966

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SI7772DP-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

2805

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SI7772DP-T1-GE3

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MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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