Name: SI7718DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7718DN-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (90 reviews)

SI7718DN-T1-GE3

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Numero di parte	SI7718DN-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Scheda dati	SI7718DN-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Specifiche SI7718DN-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? 1212-8
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? 1212-8
Pacchetto / caso	PowerPAK? 1212-8

Scheda tecnica SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3 Packaging

SI7718DN-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI7718DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI7718DN-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# SI7718DN-T1-GE3TR-ND

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MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

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D# NS-SI7718DN-T1-GE3

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