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SI7703EDN-T1-GE3

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SI7703EDN-T1-GE3

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Numero di parte SI7703EDN-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Scheda dati

SI7703EDN-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Specifiche SI7703EDN-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoPowerPAK? 1212-8
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 800µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? 1212-8
Pacchetto / casoPowerPAK? 1212-8

Scheda tecnica SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3 Packaging

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SI7703EDN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7703EDN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI7703EDN-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI7703EDN-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI7703EDN-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI7703EDN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7703EDN-T1-GE3?
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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