| Numero di parte | SI7601DN-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.000 piece(s) |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | PowerPAK? 1212-8 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2 mOhm @ 11A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK? 1212-8 |
| Pacchetto / caso | PowerPAK? 1212-8 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7601DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7601DN-T1-E3 D# SI7601DN-T1-E3-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7601DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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22260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7601DN-T1-E3 D# NS-SI7601DN-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6521 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI7601DN-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
RFQ |
12662 |
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86-755-83210559-841
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