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SI7601DN-T1-E3

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SI7601DN-T1-E3

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Numero di parte SI7601DN-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Scheda dati

SI7601DN-T1-E3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? 1212-8
ECAD
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Specifiche SI7601DN-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoPowerPAK? 1212-8
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
temperatura di esercizio-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? 1212-8
Pacchetto / casoPowerPAK? 1212-8

Scheda tecnica SI7601DN-T1-E3

SI7601DN-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7601DN-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7601DN-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7601DN-T1-E3?
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