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SI7495DP-T1-E3

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SI7495DP-T1-E3

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Numero di parte SI7495DP-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7495DP-T1-E3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7495DP-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoPowerPAK? SO-8
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5 mOhm @ 21A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7495DP-T1-E3

SI7495DP-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI7495DP-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7495DP-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7495DP-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7495DP-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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