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SI7462DP-T1-E3

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Numero di parte SI7462DP-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche SI7462DP-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.6A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4.1A, 10V
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® SO-8
Pacchetto / casoPowerPAK® SO-8

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Customized Labels
Sealing
Packing
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SI7462DP-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7462DP-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI7462DP-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI7462DP-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI7462DP-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI7462DP-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7462DP-T1-E3?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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