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SI7322ADN-T1-GE3

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Numero di parte SI7322ADN-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche SI7322ADN-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieThunderFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds360 pF @ 50 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK® 1212-8
Pacchetto / casoPowerPAK® 1212-8

SI7322ADN-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI7322ADN-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7322ADN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI7322ADN-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI7322ADN-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI7322ADN-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI7322ADN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7322ADN-T1-GE3?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI7322ADN-T1-GE3.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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