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SI7252DP-T1-GE3

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SI7252DP-T1-GE3

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Numero di parte SI7252DP-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Scheda dati

SI7252DP-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto PowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7252DP-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? SO-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1170pF @ 50V
Potenza - Max46W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8 Dual

Scheda tecnica SI7252DP-T1-GE3

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SI7252DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7252DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7252DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7252DP-T1-GE3?
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Dual N-Channel 100 V 18 mOhm 46 W TrenchFET Mosfet - PowerPAK SO-8

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N-CHANNEL 100V POWERPAKSO-8 DUAL THUNDERFET MOSFET 17MOHM@10V

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