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SI7214DN-T1-GE3

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SI7214DN-T1-GE3

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Numero di parte SI7214DN-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
Scheda dati

SI7214DN-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
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Specifiche SI7214DN-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? 1212-8 Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.3W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? 1212-8 Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? 1212-8 Dual

Scheda tecnica SI7214DN-T1-GE3

SI7214DN-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7214DN-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7214DN-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7214DN-T1-GE3?
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Vishay Siliconix

DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A

2920
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