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SI7186DP-T1-GE3

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Numero di parte SI7186DP-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
Scheda dati

SI7186DP-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7186DP-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoPowerPAK? SO-8
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2840pF @ 40V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)5.2W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? SO-8
Pacchetto / casoPowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7186DP-T1-GE3

SI7186DP-T1-GE3 Packaging

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SI7186DP-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI7186DP-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI7186DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI7186DP-T1-GE3?
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