Name: SI7138DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7138DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (116 reviews)

SI7138DP-T1-GE3

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Numero di parte	SI7138DP-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Scheda dati	SI7138DP-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
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Specifiche SI7138DP-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	PowerPAK? SO-8
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	135nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 19.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK? SO-8
Pacchetto / caso	PowerPAK? SO-8

Scheda tecnica SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3 Packaging

SI7138DP-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI7138DP-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI7138DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:30A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):7.8mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

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SI7138DP-T1-GE3

D# SI7138DP-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

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SI7138DP-T1-GE3

VBsemi Electronics Co Ltd

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Vishay Intertechnologies

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D# NS-SI7138DP-T1-GE3

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