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SI6969DQ-T1-GE3

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Numero di parte SI6969DQ-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 8TSSOP
Scheda dati

SI6969DQ-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche SI6969DQ-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

Scheda tecnica SI6969DQ-T1-GE3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6969DQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI6969DQ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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