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SI6966DQ-T1-E3

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SI6966DQ-T1-E3

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Numero di parte SI6966DQ-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
Scheda dati

SI6966DQ-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche SI6966DQ-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max830mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

Scheda tecnica SI6966DQ-T1-E3

SI6966DQ-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6966DQ-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI6966DQ-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI6966DQ-T1-E3?
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Vishay Siliconix

MOSFET, 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench

RoHS: Not Compliant
0

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MOSFET, 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench

RoHS: Not Compliant
0
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MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SI6966DQ-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

0
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