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SI6963BDQ-T1-GE3

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Numero di parte SI6963BDQ-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
Scheda dati

SI6963BDQ-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche SI6963BDQ-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max830mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

Scheda tecnica SI6963BDQ-T1-GE3

SI6963BDQ-T1-GE3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6963BDQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI6963BDQ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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