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SI6469DQ-T1-GE3

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Numero di parte SI6469DQ-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
Scheda dati

SI6469DQ-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche SI6469DQ-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs28 mOhm @ 6A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP
Pacchetto / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Scheda tecnica SI6469DQ-T1-GE3

SI6469DQ-T1-GE3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6469DQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI6469DQ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI6469DQ-T1-GE3?
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