Name: SI6467BDQ-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6467BDQ-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (181 reviews)

SI6467BDQ-T1-E3

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Numero di parte	SI6467BDQ-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
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Specifiche SI6467BDQ-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	TrenchFET®
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5mOhm @ 8A, 4.5V
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSSOP
Pacchetto / caso	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SI6467BDQ-T1-E3 Packaging

SI6467BDQ-T1-E3 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI6467BDQ-T1-E3.

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