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SI6433BDQ-T1-GE3

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SI6433BDQ-T1-GE3

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Numero di parte SI6433BDQ-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
Scheda dati

SI6433BDQ-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
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Specifiche SI6433BDQ-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.05W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 4.8A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP
Pacchetto / caso8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Scheda tecnica SI6433BDQ-T1-GE3

SI6433BDQ-T1-GE3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI6433BDQ-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI6433BDQ-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI6433BDQ-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI6433BDQ-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI6433BDQ-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI6433BDQ-T1-GE3?
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P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.8A, TSSOP, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.8A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):70mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:8V, Threshold Voltage Vgs:-1.5V , RoHS Compliant: Yes

1957
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