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SI5999EDU-T1-GE3

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Numero di parte SI5999EDU-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
Scheda dati

SI5999EDU-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
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Specifiche SI5999EDU-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds496pF @ 10V
Potenza - Max10.4W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? ChipFET? Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? ChipFet Dual

Scheda tecnica SI5999EDU-T1-GE3

SI5999EDU-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI5999EDU-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5999EDU-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5999EDU-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5999EDU-T1-GE3?
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