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SI5933CDC-T1-GE3

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Numero di parte SI5933CDC-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Scheda dati

SI5933CDC-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5933CDC-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds276pF @ 10V
Potenza - Max2.8W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI5933CDC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5933CDC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5933CDC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5933CDC-T1-GE3?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Intertechnologies

Dual P-Channel 20 V 0.144 O 6.8 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

0
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D# SI5933CDC-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

0
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D# 2454809

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL, P-CH, -20V, -3.7A, 1206-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1799
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D# NS-SI5933CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Siliconix

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.5A I(D), 20V, 2-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

65
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