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SI5915DC-T1-GE3

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SI5915DC-T1-GE3

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Numero di parte SI5915DC-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Scheda dati

SI5915DC-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5915DC-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5915DC-T1-GE3

SI5915DC-T1-GE3 Packaging

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SI5915DC-T1-GE3 FAQ

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