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SI5915BDC-T1-E3

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SI5915BDC-T1-E3

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Numero di parte SI5915BDC-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Scheda dati

SI5915BDC-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5915BDC-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds420pF @ 4V
Potenza - Max3.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5915BDC-T1-E3

SI5915BDC-T1-E3 Packaging

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SI5915BDC-T1-E3 FAQ

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