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SI5913DC-T1-E3

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SI5913DC-T1-E3

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Numero di parte SI5913DC-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Scheda dati

SI5913DC-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5913DC-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieLITTLE FOOT?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 10V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FETSchottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs84 mOhm @ 3.7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead

Scheda tecnica SI5913DC-T1-E3

SI5913DC-T1-E3 Packaging

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SI5913DC-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5913DC-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5913DC-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5913DC-T1-E3?
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