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SI5904DC-T1-GE3

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SI5904DC-T1-GE3

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Numero di parte SI5904DC-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Scheda dati

SI5904DC-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5904DC-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5904DC-T1-GE3

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Packing
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SI5904DC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5904DC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5904DC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5904DC-T1-GE3?
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Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R

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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5908DC-T1-GE3)

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MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

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DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

0
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

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MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.4A I(D), 20V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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