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SI5902BDC-T1-E3

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SI5902BDC-T1-E3

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Numero di parte SI5902BDC-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Scheda dati

SI5902BDC-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5902BDC-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
Potenza - Max3.12W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5902BDC-T1-E3

SI5902BDC-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI5902BDC-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5902BDC-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI5902BDC-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI5902BDC-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI5902BDC-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R

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0
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D# SI5902BDC-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5902BDC-T1-E3)

0
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D# SI5902BDC-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5902BDC-T1-E3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5902BDC-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Dual N-Channel 30 V 0.065 O 7 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

3000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5902BDCT1E3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SI5902BDC-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

59
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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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7140
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MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

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559
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MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET

RoHS: Compliant
3480
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D# 16P3794

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DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 1206, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0
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