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SI5517DU-T1-E3

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Numero di parte SI5517DU-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Scheda dati

SI5517DU-T1-E3 Scheda dati

pacchetto PowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
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Specifiche SI5517DU-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoPowerPAK? ChipFET? Dual
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 10V
Potenza - Max8.3W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoPowerPAK? ChipFET? Dual
Pacchetto dispositivo fornitorePowerPAK? ChipFet Dual

Scheda tecnica SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI5517DU-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5517DU-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5517DU-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5517DU-T1-E3?
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