Name: SI5511DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5511DC-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (171 reviews)

SI5511DC-T1-E3

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Numero di parte	SI5511DC-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Scheda dati	SI5511DC-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
A magazzino	108.000 piece(s)
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Specifiche SI5511DC-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	435pF @ 15V
Potenza - Max	3.1W, 2.6W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5511DC-T1-E3

SI5511DC-T1-E3 Packaging

SI5511DC-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI5511DC-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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