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SI5509DC-T1-GE3

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SI5509DC-T1-GE3

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Numero di parte SI5509DC-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Scheda dati

SI5509DC-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5509DC-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds455pF @ 10V
Potenza - Max4.5W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?

Scheda tecnica SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI5509DC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5509DC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5509DC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5509DC-T1-GE3?
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D# E02:0323_03046265

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

D# SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5513CDC-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant
0
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SI5513CDC-T1-GE3

D# SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R (Alt: SI5513CDC-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

2559
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Dual N&P-Channel 20 V 0.055/0.15 O Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

0

SI5509DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

N-Channel&P-Channel 20V 4A,3.7A 1.5V @ 250uA 55mohms @ 4.4A,4.5V 3.1W 1206-8 ChipFET MOSFET RoHS

102
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

D# SI5513CDC-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

6819

SI5509DC-T1-GE3

D# SI5509DC-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

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2251
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Dual N&P-Channel 20 V 0.055/0.15 Ω Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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Vishay Huntington

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16501
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180000

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5880
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SI5513CDC-T1-GE3

D# 781-SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

RoHS: Compliant
3319
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

D# XSKDRABV0058376

Vishay Intertechnologies

15000
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SI5513CDC-T1-GE3

D# 04X9764

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 4A, CHIPFET-8, Transistor Polarity:Complementary N and P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.045ohm, Transistor Mounting:Surface Mount RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI5513CDC-T1-GE3

D# NS-SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6028

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D# NS-SI5509DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6923
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MOSFET 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET

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