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SI5473DC-T1-E3

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SI5473DC-T1-E3

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Numero di parte SI5473DC-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
Scheda dati

SI5473DC-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5473DC-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 5.9A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead

Scheda tecnica SI5473DC-T1-E3

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SI5473DC-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5473DC-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI5473DC-T1-E3?
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