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| Numero di parte | SI5457DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| A magazzino | 65.880 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SMD, Flat Lead |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4.9A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET? |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# V36:1790_09216204 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R - Tape and Reel (Alt: SI5457DC-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R (Alt: SI5457DC-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single P-Channel 20 V 36 mO 38 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# SI5457DC-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
44494 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
2800 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DCT1GE3 |
VISHAY SILICONIX |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
46410 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# 78-SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET RoHS: Compliant
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30649 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# XSFP00000077634 |
Vishay Siliconix |
Single P-Channel 20 V 36 mO 38 nC Surface Mount Mosfet - ChipFET-1206-8 |
1512 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3. D# 23AC9604 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:6A, On Resistance Rds(on):0.03ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:1.4V RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# NS-SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5613 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DCT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1036 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI5457DC-T1-GE3 D# 53359460 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R RoHS: Compliant
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0 |
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+86-755-83210559 ext. 816
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