Name: SI5406DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5406DC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

SI5406DC-T1-GE3

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Numero di parte	SI5406DC-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Scheda dati	SI5406DC-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5406DC-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	600mV @ 1.2mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead

Scheda tecnica SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3 Packaging

SI5406DC-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI5406DC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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SI5406DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 12V, 9.5A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:9.5A, Drain Source Voltage Vds:12V, On Resistance Rds(on):20mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:600mV, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

250

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SI5406DC-T1-GE3

D# SI5406DC-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

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SI5406DC-T1-GE3

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SI5406DC-T1-GE3

D# 1871367

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N CHANNEL MOSFET, 12V, 9.5A

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