Name: SI5402BDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5402BDC-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (110 reviews)

SI5402BDC-T1-GE3

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Numero di parte	SI5402BDC-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Scheda dati	SI5402BDC-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5402BDC-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SMD, Flat Lead
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	1206-8 ChipFET?
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead

Scheda tecnica SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3 Packaging

SI5402BDC-T1-GE3 FAQ

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N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.1A

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D# SI5402BDC-T1-GE3TR-ND

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