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SI5402BDC-T1-GE3

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Numero di parte SI5402BDC-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Scheda dati

SI5402BDC-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SMD, Flat Lead
ECAD
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Specifiche SI5402BDC-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SMD, Flat Lead
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs35 mOhm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore1206-8 ChipFET?
Pacchetto / caso8-SMD, Flat Lead

Scheda tecnica SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI5402BDC-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI5402BDC-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI5402BDC-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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