Name: SI4963BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4963BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (103 reviews)

SI4963BDY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4963BDY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Scheda dati	SI4963BDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4963BDY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3 Packaging

SI4963BDY-T1-GE3 FAQ

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D# SI4963BDY-T1-GE3

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Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4963BDY-T1-GE3)

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D# SI4963BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4963BDY-T1-GE3)

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DUAL P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET - Tape and Reel

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MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

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