Name: SI4952DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4952DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

SI4952DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4952DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Scheda dati	SI4952DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4952DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 13V
Potenza - Max	2.8W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3 Packaging

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DUAL N-CHANNEL 25-V(D-S) MOSFET - Tape and Reel

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