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SI4943CDY-T1-GE3

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SI4943CDY-T1-GE3

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Numero di parte SI4943CDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
Scheda dati

SI4943CDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4943CDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19.2 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1945pF @ 10V
Potenza - Max3.1W
temperatura di esercizio-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI4943CDY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4943CDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4943CDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4943CDY-T1-GE3?
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Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R

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Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4943CDY-T1-GE3)

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Dual MOSFET, Dual P Channel, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 V RoHS Compliant: Yes

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