Name: SI4943BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4943BDY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (80 reviews)

SI4943BDY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4943BDY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
Scheda dati	SI4943BDY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4943BDY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3 Packaging

SI4943BDY-T1-GE3 FAQ

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D# V36:1790_09216681

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Trans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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SI4943BDY-T1-GE3

D# SI4943BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 20V 6.3A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4943BDY-T1-GE3)

Numero di parte

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Descrizione

Azione

SI4943BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A

2329

Numero di parte

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Descrizione

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SI4943BDY-T1-GE3

D# SI4943BDY-T1-GE3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

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76325

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SI4943BDY-T1-GE3

D# NS-SI4943BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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