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Numero di parte | SI4922BDY-T1-GE3 |
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Produttore | Vishay Siliconix |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
Scheda dati | |
pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ECAD | |
A magazzino | 29.328 piece(s) |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# E02:0323_00530022 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# SI4922BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4922BDY-T1-GE3) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# SI4922BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4922BDY-T1-GE3) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
SOP-8 MOSFET RoHS |
2496 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# SI4922BDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
1468 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3017 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# C784369 |
Vishay Intertechnologies | 2496 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# 781-SI4922BDY-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V RoHS: Compliant
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2495 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# XSKDRABV0026490 |
Vishay Intertechnologies | 2500 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# 26R1898 |
Vishay Intertechnologies |
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:8A, On Resistance Rds(on):0.024ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# NS-SI4922BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6166 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
2595 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4922BDY-T1-GE3 D# 12468750 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant
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0 |
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