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SI4922BDY-T1-GE3

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SI4922BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI4922BDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Scheda dati

SI4922BDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4922BDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs16 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2070pF @ 15V
Potenza - Max3.1W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4922BDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4922BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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D# E02:0323_00530022

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
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D# SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4922BDY-T1-GE3)

0
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D# SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4922BDY-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

SOP-8 MOSFET RoHS

2496
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

D# SI4922BDY-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

1468
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

3017
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

D# C784369

Vishay Intertechnologies

2496
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

D# 781-SI4922BDY-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V

RoHS: Compliant
2495
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

D# XSKDRABV0026490

Vishay Intertechnologies

2500
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

D# 26R1898

Vishay Intertechnologies

DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:8A, On Resistance Rds(on):0.024ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

D# NS-SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6166
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

2595
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4922BDY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 8.0A 3.1W 16mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free
0
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D# 12468750

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Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
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