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SI4916DY-T1-GE3

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SI4916DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4916DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Scheda dati

SI4916DY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4916DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieLITTLE FOOT?
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A, 10.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max3.3W, 3.5W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4916DY-T1-GE3

SI4916DY-T1-GE3 Packaging

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Packing
Insepction

SI4916DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4916DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4916DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4916DY-T1-GE3?
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