Name: SI4906DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4906DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (181 reviews)

SI4906DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4906DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Scheda dati	SI4906DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4906DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 20V
Potenza - Max	3.1W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3 Packaging

SI4906DY-T1-GE3 FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4906DY-T1-GE3

D# SI4906DY-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N 40V 6.6A 8-Pin SOIC (Alt: SI4906DY-T1-GE3)

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SI4906DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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23750

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Descrizione

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SI4906DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 40V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI4906DY-T1-GE3

D# SI4906DY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

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SI4906DYT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

38675

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SI4906DY-T1-GE3

D# NS-SI4906DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

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4958

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