Name: SI4890BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4890BDY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (194 reviews)

SI4890BDY-T1-E3

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Numero di parte	SI4890BDY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Scheda dati	SI4890BDY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4890BDY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1535pF @ 15V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3 Packaging

SI4890BDY-T1-E3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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SI4890BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:16A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):16mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:25V, Threshold Voltage Vgs:2.6V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

505

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D# SI4890BDY-T1-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

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VBsemi Electronics Co Ltd

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Vishay Siliconix

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OEM/CM ONLY

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1492

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