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SI4874BDY-T1-E3

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SI4874BDY-T1-E3

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Numero di parte SI4874BDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Scheda dati

SI4874BDY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4874BDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3230pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3 Packaging

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  • 3. Are the SI4874BDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4874BDY-T1-E3)

0
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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4874BDY-T1-E3)

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SILICONIX

0
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Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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SI4874BDY-T1-E3

D# SI4874BDY-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

3411
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MOSFET 30V 16A 0.007Ohm

RoHS: Compliant
4410
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Vishay Siliconix

5000
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D# 51K6967

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:16A, On Resistance Rds(on):0.0085ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
0

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D# 30AC0173

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:12A, On Resistance Rds(on):0.0057ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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2597
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MOSFET Transistor, N-Channel, SO

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OEM/CM ONLY

25423
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