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| Numero di parte | SI4842BDY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 21.282 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3650pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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2M805-004-02M11-4PB | Amphenol Aerospace Operations, M805 4C 4#16 PIN RECP THRD, -, TrenchFET? | Visualizza |
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PEM1-S24-S15-S | CUI Inc., CONVERT DC/DC 1W 15V 67MA OUT, 7-SIP Module, 4 Leads, TrenchFET? | Visualizza |
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TLV1701QDBVRQ1 | Texas Instruments, MICROPOWER COMPARATOR, SC-74A, SOT-753, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 D# V36:1790_09215592 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 D# SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4842BDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 D# SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4842BDY-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC |
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 D# SI4842BDY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO |
2525 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
In stock shipping within 2days |
7760 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDYT1GE3 |
Vishay Semiconductors |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
11789 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
76325 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 D# 781-SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 28A 6.25W 4.2mohm @ 10V RoHS: Compliant
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4435 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 D# 16P3760 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 30V, 28A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:28A, On Resistance Rds(on):0.0057ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Cut Tape
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 D# NS-SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5063 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDYT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
12223 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4842BDY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
76310 |
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+86-755-83210559 ext. 706
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