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SI4830CDY-T1-GE3

hot SI4830CDY-T1-GE3

SI4830CDY-T1-GE3

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Numero di parte SI4830CDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Scheda dati

SI4830CDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4830CDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieLITTLE FOOT?
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 15V
Potenza - Max2.9W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4830CDY-T1-GE3

SI4830CDY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI4830CDY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4830CDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4830CDY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4830CDY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4830CDY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4830CDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4830CDY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4830CDY-T1-GE3

D# 70026112

Vishay Siliconix

MOSFET,Dual N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.017Ohm,ID 5.7A,SO-8,PD 1.1W,VGS +/-20V,gFS 1

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4830CDY-T1-GE3

D# V72:2272_09216591

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4830CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 7.1A, SOIC-8, Transistor Polarity:N Channel + Schottky, Continuous Drain Current Id:7.1A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.156ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, No. of Pins:8 , RoHS Compliant: Yes

1449
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4830CDYT1GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4830CDY-T1-GE3

D# SI4830CDY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4830CDY-T1-GE3

D# 2335318

Vishay Intertechnologies

MOSFET, DUAL N CH, 30V, 7.1A, SOIC

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Each
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

26775
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Vishay Siliconix

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D# 32440726

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R

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Vishay Huntington

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

7156

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