Name: SI4712DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4712DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (103 reviews)

SI4712DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4712DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC
Scheda dati	SI4712DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4712DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	SkyFET?, TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1084pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4712DY-T1-GE3

SI4712DY-T1-GE3 Packaging

SI4712DY-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI4712DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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N CHANNEL MOSFET, 30V, 14.6A, Transistor Polarity:N Channel + Schottky, Continuous Drain Current Id:14.6A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):13mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V , RoHS Compliant: Yes

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D# SI4712DY-T1-GE3TR-ND

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MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO

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