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SI4670DY-T1-GE3

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SI4670DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4670DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Scheda dati

SI4670DY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4670DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs23 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds680pF @ 13V
Potenza - Max2.8W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI4670DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4670DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4670DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4670DY-T1-GE3?
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Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 25V 7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4670DY-T1-GE3)

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