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SI4561DY-T1-E3

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SI4561DY-T1-E3

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Numero di parte SI4561DY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Scheda dati

SI4561DY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4561DY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds640pF @ 20V
Potenza - Max3W, 3.3W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4561DY-T1-E3

SI4561DY-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI4561DY-T1-E3 FAQ

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