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SI4542DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4542DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Scheda dati

SI4542DY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4542DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4542DY-T1-GE3

SI4542DY-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI4542DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4542DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4542DY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4542DY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4542DY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4542DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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D# SI4542DY-T1-GE3-ND

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MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

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