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| Numero di parte | SI4532ADY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.968 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.13W, 1.2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
 
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SI2308DS-T1-E3 | Vishay Siliconix, MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3, TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, TrenchFET? | Visualizza |
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NTMS4916NR2G | ON Semiconductor, MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4532ADY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4532ADY-T1-GE3 D# SI4532ADY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4532ADY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
89742 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4532ADY-T1-GE3 D# NS-SI4532ADY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1123 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4532ADY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
89727 |
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